CPH6442-TL-W

Single N-Channel Power MOSFET, 60V, 6A, 43mΩ, 3000-REEL
3,237 有效庫存

CPH6442-TL-W

有效庫存3,237

Single N-Channel Power MOSFET, 60V, 6A, 43mΩ, 3000-REEL

  • 製造商零件號 # : CPH6442-TL-W

  • 包裝/封裝: TSOP-6

  • 零件狀態 : Obsolete

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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CPH6442-TL-W 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
1 $0.378 $0.38
200 $0.147 $29.40
500 $0.141 $70.50
1000 $0.139 $139.00

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詳細說明

Featuring advanced technology and superior performance characteristics, the CPH6442-TL-W MOSFET provides a cost-effective solution for various power management systems. The device's high VDSS rating offers protection against voltage spikes and surges, while its low On-resistance ensures minimal heat generation and improved system efficiency. The 6A drain current capability enables the MOSFET to handle high power loads with ease, making it an ideal choice for industrial and consumer electronics applications where reliability is paramount. With its compact CPH6 package, the CPH6442-TL-W is easy to integrate into existing circuit designs, offering designers flexibility and convenience

主要特徵

  • Fast Switching
  • Low Power Loss
  • Safe Operating Condition
  • High Reliability Performance
  • Advanced Gate Protection
  • Compact Design Flexibility

應用

  • Electric Current
  • Energy Management
  • Voltage Regulation

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code End Of Life
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Additional Feature ! ESD PROTECTED Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 6 A
Drain Current-Max (ID) 6 A Drain-source On Resistance-Max 0.043 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e6 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 6
Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 1.6 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 24 A Surface Mount ! YES
Terminal Finish TIN BISMUTH Terminal Form ! GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Element Material SILICON Manufacturer onsemi
Product Category ! MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-26-6 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 6 A Rds On - Drain-Source Resistance 33 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V
Qg - Gate Charge 20 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature ! + 150 C Pd - Power Dissipation 1.6 W
Channel Mode Enhancement Series CPH6442
Brand onsemi Fall Time 35 ns
Forward Transconductance - Min 2.6 S Product Type ! MOSFET
Rise Time ! 18 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 80 ns Typical Turn-On Delay Time 12 ns
Unit Weight 0.000529 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 CPH6442-TL-W PDF 下載

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