CPC5602C
Power MOSFET with N-channel and 350V voltage rating
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製造商零件號 # : CPC5602C
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包裝/封裝: SOT223-3
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零件狀態 : OBSOLETE
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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運輸與付款
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CPC5602C 數據表
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詳細說明
The CPC5602C is a N-channel depletion-mode FET utilizes IXYS Integrated Circuits Division's proprietary third generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silicon gate process. The vertical DMOS process yields a highly reliable device. One of the primary applications is as a linear regulator/hook switch for the LITELINK™ family of data access arrangements (DAA) devices CPC5620A, CPC5621A and CPC5622A. It has a typical ON-resistance of 8R, a drain-to-source voltage of 350V. As with all MOS devices, the FET structure prevents thermal runaway and thermal-induced secondary breakdown.
主要特徵
- Depletion-mode device offers low RDS (ON) at cold temperatures
- High input impedance
- Low input and output leakage
- PC card (PCMCIA) compatible
應用
- Power Management
- Communications & Networking
- Security
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-223-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 350 V |
Id - Continuous Drain Current | 5 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 14 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 85 C | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
Channel Mode | Depletion | Tradename | Clare |
Series | CPC5602 | Brand | IXYS Integrated Circuits |
Configuration | Single | Product Type ! | MOSFET |
Factory Pack Quantity | 200 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Unit Weight | 0.008818 oz |
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