CM800DZ-34H
N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor Module-10, featuring 800A Collector Current and a 1700V Breakdown VoltageCM800DZ-34H
N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor Module-10, featuring 800A Collector Current and a 1700V Breakdown Voltage
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製造商零件號 # : CM800DZ-34H
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包裝/封裝: Module
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製造商: Mitsubishi Electric
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產品分類 : IGBT Modules
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CM800DZ-34H 數據表
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詳細說明
CM800DZ-34H is a power module from Mitsubishi Electric, designed for use in high power applications where efficient energy management is crucial. This module is a type of insulated gate bipolar transistor (IGBT) module, which combines the high switching speed of a transistor with the high power handling capabilities of a thyristor. The CM800DZ-34H is capable of handling high voltages and currents, making it suitable for use in industrial motor drives, renewable energy systems, and other high-power applications. It has a maximum voltage rating of 1200V and a maximum current rating of 800A, allowing for efficient power control in a wide range of scenarios. With low losses and high reliability, the CM800DZ-34H offers energy efficiency and long-term performance. It features a compact design for easy integration into existing systems, as well as built-in protective features such as overcurrent and overvoltage protection to ensure safe operation.
![](/files/uploads/product/b/5655eebb0bb64c1c9a66876e8c4b0880.webp)
主要特徵
- Multifunctional gauge with LED indicators
- Durable powder coating finish
- Self-lubricating pivot points
應用
- For energy storage
- Industrial tools
- Solar power backup
![Mitsubishi Electric Inventory Mitsubishi Electric Inventory](/files/uploads/inventory/mitsubishi/mitsubishi.jpg)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | No | Rohs Code | No |
Part Life Cycle Code | Active | Part Package Code | MODULE |
Pin Count ! | 10 | Reach Compliance Code | |
ECCN Code | EAR99 | Case Connection | ISOLATED |
Collector Current-Max (IC) | 800 A | Collector-Emitter Voltage-Max | 1700 V |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | Gate-Emitter Voltage-Max | 20 V |
JESD-30 Code | R-XUFM-X10 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 10 | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | UNSPECIFIED | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 5000 W |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | NO |
Terminal Form ! | UNSPECIFIED | Terminal Position | UPPER |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | POWER CONTROL |
Transistor Element Material | SILICON | VCEsat-Max | 3.64 V |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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