CA3096E

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CA3096E

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  • 製造商零件號 # : CA3096E

  • 包裝/封裝: PDIP-16

  • 零件狀態 : OBSOLETE

  • 製造商: Renesas Electronics

  • 產品分類 : Single Bipolar Transistors

  • RoHS:

品質保證

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運輸與付款

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管或託盤

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詳細說明

Versatility meets precision with the CA3096E transistor array, a cutting-edge monolithic NPN silicon device featuring five transistors with common emitter connections. Encased in an 18-lead dual in-line plastic package, this array packs a punch with a voltage rating of 15V and a current rating of 100mA, catering perfectly to low to medium power amplification tasks. Boasting closely matched transistor characteristics, the CA3096E delivers consistent performance, making it the go-to choice for precision circuit designs that demand accuracy. Its seamless interconnectivity allows for the creation of complex circuit configurations such as differential amplifiers, current mirrors, and voltage sources. Operating flawlessly across a wide temperature range from -55°C to 125°C, this transistor array thrives in diverse operating environments. With its low collector-to-emitter saturation voltage and high current gain, the CA3096E shines in amplification tasks, setting a new standard for performance and reliability

主要特徵

  • High-speed, low-power amplifier
  • Fast switching, high-current transistor
  • Low noise, wide bandwidth operation
  • Multi-purpose IC for audio amplifiers
  • Rugged, high-reliability performance
  • Easy to use, flexible design

應用

  • Data logging systems
  • Automotive sensors
  • Power supply regulation

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! Bipolar Transistors - BJT Package / Case PDIP-16
Transistor Polarity NPN, PNP Configuration Quint
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V Collector- Base Voltage VCBO 45 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V Maximum DC Collector Current 50 mA
Pd - Power Dissipation 200 mW Gain Bandwidth Product fT 335 MHz
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 125 C
Brand Renesas / Intersil DC Collector/Base Gain hfe Min 150 at 1 mA, 5 V
Height 4.95 mm Length 19.68 mm
Product Type ! BJTs - Bipolar Transistors Subcategory Transistors
Technology Si Width 7.11 mm
Unit Weight 0.057419 oz

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