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C3M0075120K
MOSFET made of Silicon Carbide with a voltage rating of 1200V and a resistance of 75 milliohms
C3M0075120K
MOSFET made of Silicon Carbide with a voltage rating of 1200V and a resistance of 75 milliohms
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製造商零件號 # : C3M0075120K
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包裝/封裝: TO247-4
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製造商: Wolfspeed, Inc
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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C3M0075120K 數據表
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詳細說明
The C3M0075120K is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power applications. It has a maximum voltage rating of 1200V and a continuous drain current of 30A at a case temperature of 25°C. The maximum power dissipation at a case temperature of 25°C is 113.6W. This MOSFET is housed in a TO-247-4L package, which is a through-hole package that provides excellent thermal performance, making it suitable for high-power applications where heat dissipation is critical. The TO-247-4L package also allows for easy mounting on a heatsink, further enhancing its thermal properties. The C3M0075120K features low on-state resistance and fast switching speeds, making it ideal for applications such as power supplies, motor control, and inverters where efficiency and reliability are essential. Additionally, the MOSFET's high voltage rating makes it suitable for use in high-voltage circuits.
主要特徵
- Part number: C3M0075120K
- Silicon Carbide Power MOSFET
- 1200V drain-source voltage
- 25A continuous drain current
- 125°C junction temperature
- High-speed switching
- Low on-resistance
- Enhanced thermal performance
應用
- EV charging
- Solar inverters
- Server power supplies
- Industrial power supplies
- Motor drives
- UPS systems
- Welding equipment
- RF power amplifiers
- Electric vehicles
- Telecom base stations
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | SiC |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-4 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 75 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 4 V, + 15 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.7 V | Qg - Gate Charge | 51 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 119 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Wolfspeed | Configuration | Single |
| Fall Time | 11 ns | Forward Transconductance - Min | 8.3 S |
| Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 11 ns |
| Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 33 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns | Unit Weight | 0.211644 oz |
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