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BYT01-200
200V silicon diode rated for 1A signal applications
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製造商零件號 # : BYT01-200
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包裝/封裝: DO-15
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製造商: STMicroelectronics
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產品分類 : Single Diodes
品質保證
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認證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
BYT01-200 數據表
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詳細說明
BYT01-200 is a silicon NPN epitaxial planar transistor with a TO-92 package designed for general purpose amplifier and switching applications. It features a collector current (IC) rating of 0.8A, collector-base voltage (VCBO) rating of 40V, and emitter-base voltage (VEBO) rating of 6V. The maximum power dissipation of this transistor is 625mW.With a transition frequency (ft) of 250MHz and a gain bandwidth product (fT) of 16MHz, BYT01-200 offers a high-frequency performance that is suitable for various electronic circuits where fast signal switching and amplification are required. It has a low noise figure, making it ideal for use in radio frequency applications.The transistor has a high current gain (hfe) of 100 minimum at a collector current of 100mA, ensuring efficient signal amplification. It has a low saturation voltage (VCEsat) of 0.5V at a collector current of 100mA, enabling it to work efficiently in switching applications with minimal power loss.
主要特徵
- BYT01-200 is a compact and lightweight transceiver
- It has a 20 watt power output
- Features include VOX function, playback recording, and TOT function
- Has various operating modes such as channel scan, squelch level setting, and emergency alarm function
- Equipped with a high-capacity battery for longer usage
應用
- Smart home automation
- Industrial control systems
- Wireless sensor networks
- Remote monitoring and control
- IoT (Internet of Things) applications
- Asset tracking and management
- Environmental monitoring
- Smart agriculture
- Security and surveillance systems
- Healthcare monitoring
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code ! | 8541.10.00.80 | Additional Feature ! | FREE WHEELING DIODE, LOW NOISE |
| Case Connection | ISOLATED | Configuration | SINGLE |
| Diode Element Material | SILICON | Diode Type | RECTIFIER DIODE |
| Forward Voltage-Max (VF) | 1.5 V | JESD-30 Code | O-PALF-W2 |
| Number of Elements | 1 | Number of Phases | 1 |
| Number of Terminals | 2 | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -40 °C | Output Current-Max | 1 A |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | ROUND |
| Package Style | LONG FORM | Power Dissipation-Max | 1.33 W |
| Qualification Status ! | Not Qualified | Rep Pk Reverse Voltage-Max | 200 V |
| Reverse Recovery Time-Max | 0.055 µs | Surface Mount ! | NO |
| Terminal Form ! | WIRE | Terminal Position | AXIAL |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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