BUK9Y15-60E,115

BUK9Y15-60E,115 Transistor
4,043 有效庫存

BUK9Y15-60E,115

有效庫存4,043

BUK9Y15-60E,115 Transistor

  • 製造商零件號 # : BUK9Y15-60E,115

  • 包裝/封裝: SOT669

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: NEXPERIA

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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服務與包裝

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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BUK9Y15-60E,115 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
1 $0.535 $0.54
10 $0.522 $5.22
30 $0.515 $15.45
100 $0.507 $50.70

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詳細說明

Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications.

主要特徵

  • Robust against voltage surges
  • Compact and lightweight design
  • Fully insulated for safety

應用

  • Compact design
  • Low power consumption
  • Robust functionality
NEXPERIA Inventory

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Part Life Cycle Code Active Part Package Code SOIC
Pin Count ! 4 Reach Compliance Code not_compliant
Additional Feature ! AVALANCHE RATED Avalanche Energy Rating (Eas) 42.7 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V Drain Current-Max (ID) 53 A
Drain-source On Resistance-Max 0.015 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code MO-235 JESD-30 Code R-PSSO-G4
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 212 A Reference Standard AEC-Q101; IEC-60134
Surface Mount ! YES Terminal Finish TIN
Terminal Form ! GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Series TrenchMOS™
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 53A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 5 V Vgs (Max) ±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2603 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 95W (Tc)
Operating Temperature ! -55°C ~ 175°C (TJ) Grade Automotive
Qualification AEC-Q101 Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8 Package / Case SC-100, SOT-669
Base Product Number BUK9Y15

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 BUK9Y15-60E,115 PDF 下載

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    8,731 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

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    製造商: Nexperia 包裝/箱: SOT-669-5

    9,147 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

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    最小訂購量為 1

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    製造商: Nexperia Usa Inc. 包裝/箱: SOT669-5

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    製造商: Nexperia 包裝/箱: LFPAK-56-5

    7,570 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

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    最小訂購量為 1

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    最小訂購量為 1

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    8,361 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

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    5,737 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1