BSZ16DN25NS3G
Efficient current regulation for high-performance systemsBSZ16DN25NS3G
Efficient current regulation for high-performance systems
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製造商零件號 # : BSZ16DN25NS3G
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包裝/封裝: 8-PowerTDFN
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Infineon Technologies
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
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BSZ16DN25NS3G 數據表
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詳細說明
BSZ16DN25NS3G is a specific N-Channel electronic component designed for use in various high-power applications. It is capable of handling voltage up to 250V and a continuous current of 10.9A. This makes it suitable for use in a wide range of electronic devices where high power requirements are needed. The component has a power dissipation of 62.5W when operating at its rated conditions. This means that it can efficiently handle high power levels without overheating, ensuring reliable performance in demanding applications. BSZ16DN25NS3G is a surface mount component, which means it can be easily mounted onto a printed circuit board for compact and streamlined integration into electronic systems. The PG-TSDSON-8 package type further enhances its ease of installation and makes it suitable for automated assembly processes.
主要特徵
- IGBT Module
- Current Rating: 25A
- Voltage Rating: 1600V
- Module Type: Dual
- Configuration: Half Bridge
- Fast switching speed
- High power density
- Low module parasitic inductance
- RoHS compliant
應用
- Industrial automation
- Robotics
- Machine tools
- Power supplies
- Motor control
- Uninterruptible power supplies
- Renewable energy
- Electric vehicle charging systems
- Medical devices
- Telecommunications equipment
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
IDpuls max | 44.0 A | Ptot max | 62.5 W |
VDS max | 250.0 V | Polarity | N |
RDS (on) max | 165.0 mΩ | Package | PQFN 3.3 x 3.3 |
ID max | 10.9 A | VGS(th) max | 4.0 V |
VGS(th) min | 2.0 V | Operating Temperature max | 150.0 °C |
Operating Temperature min | -55.0 °C |
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