BSM75GB170DN2

Rugged and reliable performance up to kV breakdown volta
6,996 有效庫存

BSM75GB170DN2

有效庫存6,996

Rugged and reliable performance up to kV breakdown volta

  • 製造商零件號 # : BSM75GB170DN2

  • 包裝/封裝: 32 mm

  • 製造商: Infineon

  • 產品分類 : IGBT Modules

品質保證

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

ship1 ship2 ship3 ship4 ship5 ship6

認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。 我們還支持其他運輸方式。 如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

questionContent1 questionContent2 questionContent3 questionContent4 ctc pelican express chunghwa post

關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息，請隨時與我們聯繫。

wire

電匯

questionContent7

Paypal

cc

信用卡

western

西聯匯款

mg

速匯金

服務與包裝

服務與包裝

About After Sales Service

All Parts Extended Quality Guarantee

自發貨之日起 90 天內發起申請。

與我們的工作人員確認退貨或換貨。

保持貨物收到時的原始狀態。

最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。 在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。 如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

pg

例子

捲帶式

捲帶式

剪膠帶

剪膠帶

管或託盤

管或託盤

BSM75GB170DN2 數據表
no-price

目前的價格方案正在編制中。請聯絡我們的客戶服務團隊獲取最新的價格資訊。感謝您的理解和支援!

快速報價

請提交詢價 BSM75GB170DN2 或發送電子郵件給我們： Email: [email protected], 我們將在 12 小時內與您聯繫。

詳細說明

亮辰科技提供高度通用且可靠的 BSM75GB170DN2 驅動程序，由 Infineon. 憑藉其多功能和高性能，該組件是各種電子項目的絕佳選擇。

為了確保您擁有充分利用該組件所需的所有必要信息，亮辰科技提供免費的數據表 PDF，以及電路圖、引腳佈局、引腳詳細信息、引腳電壓額定值和等效組件 BSM75GB170DN2.

亮辰科技還提供免費樣品。 只需填寫並提交樣品申請表即可獲得免費樣品進行測試。 如果您有任何疑問，請隨時與我們聯繫。

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.7 kV Continuous Collector Current at 25 C 110 A
Package / Case 32 mm Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature ! + 150 C Brand Infineon Technologies
Height 30.5 mm Length 94 mm
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V Mounting Style Chassis Mount
Product Type ! IGBT Modules Factory Pack Quantity 10
Subcategory IGBTs Technology Si
Width 34 mm Part # Aliases SP000100464 BSM75GB170DN2HOSA1
Unit Weight 8.818490 oz

常見問題解答

What is BSM75GB170DN2?

The BSM75GB170DN2 is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) power module developed by Infineon Technologies. It is designed for high-power applications such as industrial drives, renewable energy systems, and electric vehicles. The module integrates IGBT chips, diodes, and heat sink into a single package, providing high power density and efficiency.

How Does BSM75GB170DN2 Work?

The BSM75GB170DN2 operates by controlling the flow of high-power electrical currents using the combination of IGBTs and diodes. It provides efficient switching of power circuits, allowing for precise control and conversion of electrical energy in various applications. The module's compact design and thermal management features contribute to its reliable performance in demanding environments.

How Many Pins does BSM75GB170DN2 have and What are the Functions of the Pinout Configuration?

The BSM75GB170DN2 power module typically consists of multiple pins for power and control connections, as well as thermal management. The pinout configuration may include:

  • Power Terminals: Pins for connecting the module to the power supply and load.
  • Gate Drive: Pins for controlling the IGBTs and diodes.
  • Temperature Sensing: Pins for monitoring the temperature of the module.
  • Protection and Fault Reporting: Pins for overcurrent protection and fault reporting.

What are the Pros and Cons of BSM75GB170DN2?

Pros:

  • High Power Density: Offers high power capability in a compact package.
  • Integrated Design: Combines IGBTs, diodes, and heat sink for easy integration and thermal management.
  • Reliability: Designed for reliable operation in harsh industrial environments.
  • Efficiency: Provides efficient power conversion and switching for energy-saving applications.

Cons:

  • Complexity: High-power modules may require careful consideration of layout, cooling, and protection circuitry.
  • Cost: High-power modules may have a higher upfront cost compared to lower-power alternatives.
  • Heat Dissipation: Effective thermal management is essential for maintaining reliable performance.

Are There Any Equivalents/Alternatives to BSM75GB170DN2 for Recommendation?

Alternatives to the BSM75GB170DN2 include power modules from manufacturers such as Mitsubishi Electric, Fuji Electric, and Semikron which offer similar high-power IGBT modules for industrial and automotive applications.

推薦零件

  • BSZ160N10NS3G

    BSZ160N10NS3G $0.615

    Silicon N-Channel Power MOSFET, 8 Amps Drain Current, 100 Volts Drain-Source Voltage, 0.016ohm RDS(on), Plastic Encapsulation, GREEN, TDSON-8

    製造商: Infineon 包裝/箱: PQFN

    5,465 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BSM300GA120DN2

    BSM300GA120DN2 $155.516

    Module for IGBT Transistor with N-Channel, 1200 Volts

    製造商: Infineon 包裝/箱: 62 mm

    7,700 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BSP613PH6327XTSA1

    BSP613PH6327XTSA1

    PG-SOT223 P-MOSFET transistor with -60V drain-source voltage, -2.9A drain current, and 1.8W power dissipation capability

    製造商: Infineon Technologies 包裝/箱: SOT223-4

    7,760 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BSP170PH6327XTSA1

    BSP170PH6327XTSA1

    BSP170PH6327XTSA1 transistor features a 1.9A current rating and 60V voltage rating in a compact SOT223 package

    製造商: Infineon 包裝/箱: PG-SOT223-4

    6,162 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BSS84DW

    BSS84DW $0.017

    MOSFETs BSS84DW ROHS SOT-363

    製造商: PANJIT 包裝/箱: SOT-36

    6,076 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BSM400GA120DLC

    BSM400GA120DLC $185.236

    High Voltage Transistor with 625A Current Rating

    製造商: Infineon Technologies 包裝/箱: Module

    6,842 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BSS138BWAHZGT106

    BSS138BWAHZGT106 $0.043

    Transistor, Automotive MOSFET, N-Channel, 60V, 0.38A

    製造商: ROHM SEMICONDUCTOR 包裝/箱: SOT323

    4,099 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BSC046N10NS3GATMA1

    BSC046N10NS3GATMA1

    High-powered N-channel MOSFET operating at 100V and 100A, with TDSON-8 packaging

    製造商: Infineon Technologies 包裝/箱: TDSON-8

    9,799 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BSS101

    BSS101

    The BSS101 is a Silicon-based N-Channel Small Signal Field-Effect Transistor (FET) capable of handling currents up to 0

    製造商: SIEMENS 包裝/箱: TO-92

    5,855 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BSS84AKQBZ

    BSS84AKQBZ

    Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R

    製造商: Nexperia USA Inc. 包裝/箱: DFN-D

    5,339 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BC847BSH-QX

    BC847BSH-QX

    Bipolar Transistors - BJT BC847BSH-Q/SOT363/SC-88

    製造商: Nexperia USA Inc. 包裝/箱: TSSOP-6

    5,313 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • BCM846BSX

    BCM846BSX

    Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R

    製造商: Nexperia USA Inc. 包裝/箱: TSSOP

    6,251 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • PBSS5350D,115

    PBSS5350D,115

    Bipolar Transistors - BJT PBSS5350D/SOT457/SC-74

    製造商: Nexperia USA Inc. 包裝/箱: TSOP-6

    9,873 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • PBSS4440D,115

    PBSS4440D,115

    Trans GP BJT NPN 40V 4A 2500mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

    製造商: Nexperia USA Inc. 包裝/箱: TSOP

    6,015 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • PBSS5320D,125

    PBSS5320D,125 $0.101

    Bipolar Transistors - BJT PBSS5320D/SOT457/SC-74

    製造商: Nexperia USA Inc. 包裝/箱: TSOP-6

    6,718 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • PBSS5420D,115

    PBSS5420D,115

    Trans GP BJT PNP 20V 4A 2500mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

    製造商: Nexperia USA Inc. 包裝/箱: TSOP

    6,568 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1