BSL306NH6327XTSA1

High Power SOIC8 Power Factor Controller
7,247 有效庫存

BSL306NH6327XTSA1

有效庫存7,247

High Power SOIC8 Power Factor Controller

  • 製造商零件號 # : BSL306NH6327XTSA1

  • 包裝/封裝: TSOP-6

  • 零件狀態 : Obsolete

  • 製造商: Infineon

  • 產品分類 : FET, MOSFET Arrays

  • RoHS:

品質保證

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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管或託盤

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詳細說明

Elevate your circuit designs with the BSL306NH6327XTSA1 Mosfet, a high-quality dual N-Ch transistor engineered for optimal performance. Featuring a continuous drain current of 2.3A and a drain source voltage of 30V, this component enables efficient power distribution and voltage regulation. The low on resistance of 0.043 Ohm and Rds(On) test voltage of 10V ensure minimal power dissipation and superior conductivity. With a threshold voltage of 1.6V and RoHS compliance, this Mosfet offers precise control over electrical currents while adhering to environmental standards. Trust the BSL306NH6327XTSA1 for reliability, efficiency, and sustainability in your electronic projects

主要特徵

  • Dual N-channel MOSFET array
  • SC-74, SOT-457 package
  • Maximum drain current: 2.3A
  • Maximum drain-source voltage: 30V
  • AEC-Q101 qualified
  • Operating temperature range: -55°C to 150°C (TJ)
  • 500mW power dissipation

應用

  • The Infineon BSL306NH6327XTSA1 is suitable for use in automotive applications such as power management, motor control, and lighting. It is also suitable for use in consumer electronics, industrial, and medical applications.

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer Infineon Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TSOP-6
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 2.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance 57 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V Qg - Gate Charge 1.6 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 500 mW Channel Mode Enhancement
Brand Infineon Technologies Configuration Dual
Fall Time 1.4 ns Height 1.1 mm
Length 3 mm Product Type ! MOSFET
Rise Time ! 2.3 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 8.3 ns Typical Turn-On Delay Time 4.4 ns
Width 1.5 mm Part # Aliases BSL306N H6327 SP001100664
Unit Weight 0.000705 oz

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