BSC159N10LSF G
Robust and reliable semiconductor device for power electronicsBSC159N10LSF G
Robust and reliable semiconductor device for power electronics
品質保證
品質保證
從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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關於包裝
在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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例子
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捲帶式
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剪膠帶
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管或託盤
BSC159N10LSF G 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $4.680 | $4.68 |
10 | $4.080 | $40.80 |
30 | $3.561 | $106.83 |
100 | $3.201 | $320.10 |
500 | $3.035 | $1,517.50 |
1000 | $2.958 | $2,958.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
When it comes to high power applications, the BSC159N10LSF G stands out as a top choice for engineers seeking a reliable and efficient solution. Its superior performance characteristics, including a low on-resistance and gate charge, make it a versatile component for a wide range of industrial and commercial applications. Whether used in motor control systems, power supplies, or DC-DC converters, this MOSFET excels in delivering consistent and high-quality performance
主要特徵
- Fast switching MOSFET for SMPS
- Optimized technology for DC/DC converters
- Qualified according to JEDEC1) for target applications
- N-channel; Logic level
- Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- Superior thermal resistance
- Avalanche rated
- Pb-free plating; RoHS compliant
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | Infineon | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TDSON-8 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 9.4 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 15.9 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 114 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | OptiMOS | Series | OptiMOS 2 |
Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
Fall Time | 6 ns | Height | 1.27 mm |
Length | 5.9 mm | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 24 ns | Factory Pack Quantity | 5000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns | Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
Width | 5.15 mm | Part # Aliases | BSC159N1LSFGXT SP000379614 BSC159N10LSFGATMA1 |
Unit Weight | 0.004974 oz | Product Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 63A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.9mOhm @ 50A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 72µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V | Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
Operating Temperature ! | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 | Base Product Number | BSC159 |
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