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BSA223SP
-pin SC-75 package
品質保證
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認證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
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BSA223SP 數據表
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詳細說明
BSA223SP is a P-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a maximum drain-source voltage rating of 20V and a maximum continuous drain current of 390mA. It comes in the SC75 package, which is a surface-mount package with three terminals. P-channel MOSFETs are known for their ability to control the flow of current in electronic circuits. They are commonly used in power management applications, such as battery charging, voltage regulation, and power switching. The BSA223SP MOSFET offers low on-resistance, which results in less power dissipation and improved efficiency in electronic circuits. Its compact SC75 package makes it suitable for applications with limited space constraints, such as mobile devices, portable electronics, and small power supplies. This MOSFET is designed to provide reliable performance in a wide range of operating conditions. It has a high input impedance, low gate threshold voltage, and fast switching speed, making it ideal for high-frequency switching applications.
主要特徵
- 8x magnification power
- 50mm objective lens
- Fully multi-coated optics for bright and clear images
- Nitrogen-purged and o-ring sealed for waterproof and fog-proof performance
- Rugged and durable construction
- Includes a carrying case, lens covers, and neck strap
應用
- Pharmaceuticals
- Biotechnology
- Food and beverage processing
- Water treatment
- Environmental monitoring
- Clinical diagnostics
- Forensic analysis
- Agricultural research
- Biofuel production
- Industrial quality control
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Part Package Code | SC-75 | Pin Count ! | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Additional Feature ! | AVALANCHE RATED | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 20 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.39 A |
| Drain Current-Max (ID) | 0.39 A | Drain-source On Resistance-Max | 1.2 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 22 pF |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.25 W | Qualification Status ! | Not Qualified |
| Surface Mount ! | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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