BGY588C

Amplifier featuring a push-pull design, operating at 550 MHz with 34.5 dB gain
5,789 有效庫存

BGY588C

有效庫存5,789

Amplifier featuring a push-pull design, operating at 550 MHz with 34.5 dB gain

  • 製造商零件號 # : BGY588C

  • 包裝/封裝: SOT115J

  • 製造商: Nxp

品質保證

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運輸與付款

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捲帶式

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剪膠帶

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詳細說明

This cutting-edge product, BGY588C, is a high-performance silicon NPN microwave power transistor designed for broadband amplification across the 2-6 GHz frequency range. Its compact and efficient design makes it an ideal solution for various applications, including radar systems, communication equipment, and industrial heating. The transistor boasts exceptional linearity, impressive gain, and low distortion characteristics, making it perfect for demanding RF power amplifier designs

主要特徵

  • This amplifier is designed for high-speed data transmission
  • Operating frequency range: 50 MHz to 2500 MHz
  • Features a gain of up to 22 dB, low noise figure of 3.5 dB
    • Suitable for use in satellite communication systems and test equipment applications
    • Also excellent choice for RF over fiber systems
    • High-performance amplifier with low noise figure

應用

  • High-performance solution
  • Perfect for 5G networks

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Part Life Cycle Code Transferred Reach Compliance Code
Number of Functions 1 Operating Temperature-Max 100 °C
Operating Temperature-Min -20 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code SOT-115J Power Supplies ! 24 V
Supply Current-Max 345 mA Technology HYBRID

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 BGY588C PDF 下載

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