BFR182W

RF Bipolar Transistors, Product BFR182W
7,525 有效庫存

BFR182W

有效庫存7,525

RF Bipolar Transistors, Product BFR182W

  • 製造商零件號 # : BFR182W

  • 包裝/封裝: SOT-323

  • 零件狀態 : NRND

  • 製造商: SIEMENS

  • 產品分類 : RF Small Signal Bipolar Transistors

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詳細說明

BFR182W is a PNP silicon epitaxial planar transistor commonly used in audio amplifier applications. This transistor has a maximum collector current (IC) rating of 500mA and a maximum collector-base voltage (VCBO) of 40V. It also has a maximum power dissipation (Pd) of 625mW and a DC current gain (hFE) ranging from 80 to 160.BFR182W is housed in a TO-92 package, which is a popular package type for small signal transistors. The transistor has three terminals: the collector, base, and emitter. The collector is connected to the case of the transistor, which acts as a heat sink to dissipate heat generated during operation.The BFR182W transistor is ideal for use in audio amplifier circuits due to its low noise and high gain characteristics. It can also be used in low-power switching applications.

主要特徵

  • NPN bipolar transistor
  • Low power dissipation
  • High current gain
  • Low noise figure
  • Low collector-emitter saturation voltage
  • High transition frequency
  • Wide operating temperature range

應用

  • High-frequency amplification
  • RF oscillator circuits
  • Satellite communication systems
  • Wireless transmitters
  • RF power amplifiers
  • Radar systems

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Package SOT323 VCEO max 12.0 V
IC max 35.0 mA NFmin 0.90 dB @900 MHz
Gmax 18 dB @900 MHz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 BFR182W PDF 下載

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