BCR183W

0.1A collector current
7,408 有效庫存

BCR183W

有效庫存7,408

0.1A collector current

  • 製造商零件號 # : BCR183W

  • 包裝/封裝: SOT-323-3

  • 零件狀態 : NRND

  • 製造商: infineon

  • 產品分類 : Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased

  • RoHS:

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

BCR183W is a silicon NPN epitaxial planar transistor designed for low noise audio amplifier applications. It is commonly used in circuits where noise performance is critical, such as in audio amplifiers, preamplifiers, and high-fidelity audio equipment.The transistor has a maximum power dissipation of 625 mW and a collector current of 100 mA, making it suitable for small signal amplification. It has a low noise figure of 3 dB at 1 kHz, making it ideal for applications requiring high signal-to-noise ratio.BCR183W has a collector-base voltage of 30 V and a collector-emitter voltage of 15 V, with a maximum transition frequency of 150 MHz. It features a low input capacitance of 3 pF and a high current gain of 400, ensuring stable and reliable amplification.The transistor is housed in a small surface-mount SOT-323 package, making it suitable for compact and space-constrained applications. It is RoHS compliant and halogen-free, ensuring environmental friendliness and compliance with industry standards.

主要特徵

  • High voltage and current capability
  • Low collector saturation voltage
  • Low base drive requirements
  • Fast switching speed
  • Low equivalent on resistance
  • Complementary NPN type available (BCR183B)

應用

  • RF amplifiers
  • Low noise amplifiers
  • Radio frequency tuning circuits
  • Wireless communication systems
  • Satellite communication systems
  • Radar systems
  • Medical equipment
  • Instrumentation
  • Automotive electronics
  • Consumer electronics

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

VCE(sat) max 0.3 V hFE min 30.0
ICBO max 100.0 nA Vi (off) max 1.5 100µA / 5V
Ptot max 250.0 mW VCEO max 50.0 V
Vi (on) max 1.5 V VCBO max 50.0 V
Vi (on) min 1.0 2mA / 0.3V VEBO max 10.0 V
Polarity PNP (Single) Mounting SMT

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