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AP70T03GH
N-Channel 60A Power MOSFET 30V 0.009 Ohm
品質保證
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認證
我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
AP70T03GH 數據表
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詳細說明
The AP70T03GH is a power MOSFET transistor manufactured by Advanced Power Electronics Corp. It is designed for use in high current, high speed switching applications in power supplies, motor control, and other industrial applications. The AP70T03GH features a drain-source voltage rating of 30V and a continuous drain current of 70A, making it suitable for handling high power loads. It has a low on-resistance of 7.5mΩ, which helps reduce power losses and improve efficiency in high current applications. This MOSFET transistor is housed in a TO-252 package, which provides good thermal performance and allows for easy mounting on a circuit board. It also has a gate threshold voltage of 2.5V and a low gate charge of 32nC, enabling fast switching speeds and efficient operation.The AP70T03GH is designed to operate in a wide temperature range from -55°C to 175°C, making it suitable for use in harsh environments. It also has built-in protection features such as overcurrent and thermal shutdown to ensure reliable and safe operation.
主要特徵
- Power MOSFET transistor
- 70A continuous drain current
- 30V drain-source voltage
- Low on-resistance of 5.5mOhm
- Fast switching speed
- High power density
- TO-252 package
- Suitable for various power applications
應用
- Power management systems
- Battery charging circuits
- Solar power systems
- DC-DC converters
- Switching applications
- LED backlighting control
- Motor control circuits
- Voltage regulation systems
- Automotive electronics
- Industrial control systems
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Part Package Code | TO-252 |
| Pin Count ! | 4 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 60 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.009 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-252 | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 195 A | Qualification Status ! | Not Qualified |
| Surface Mount ! | YES | Terminal Form ! | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
