2SCR574D3TL1
TO-252-2 Package
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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捲帶式
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2SCR574D3TL1 數據表
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詳細說明
The 2SCR574D3TL1 is an NPN bipolar junction transistor (BJT) used for amplifying or switching electronic signals. Its key specifications include a maximum voltage rating of 80 volts and a maximum current rating of 2 amps. The TO252 package type denotes its physical form factor and mounting style, commonly referred to as a surface-mount package. As an NPN transistor, it consists of three layers of semiconductor material: P-doped, N-doped, and P-doped. The middle layer (N-doped) acts as the transistor's base, sandwiched between the collector (P-doped) and emitter (P-doped) layers. This particular transistor is suitable for various applications where moderate power amplification or switching is required, such as in audio amplifiers, voltage regulators, motor drivers, and power management circuits. The "2SCR" prefix likely indicates it belongs to the SCR (Silicon Controlled Rectifier) family, known for their controllable switching capabilities. The alphanumeric suffix "574D3TL1" may denote specific manufacturing details or revisions, ensuring traceability and quality control.
主要特徵
- Suitable for Power Driver.
- Complementary PNP Types : 2SAR574D3.
- Low V
應用
- Industrial motor control
- Power supplies
- Lighting systems
- Automotive applications
- Home appliances
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Inverters
- Rectifiers
- Welding equipment
- Power transmission systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 13 Weeks | Case Connection | COLLECTOR |
Collector Current-Max (IC) | 2 A | Collector-Base Capacitance-Max | 20 pF |
Collector-Emitter Voltage-Max | 80 V | Configuration | SINGLE |
DC Current Gain-Min (hFE) | 120 | JEDEC-95 Code | TO-252 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | NPN | Power Dissipation-Max (Abs) | 10 W |
Surface Mount ! | YES | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | AMPLIFIER | Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 280 MHz | VCEsat-Max | 0.3 V |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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