2SC5658RM3T5G

Small Signal General Purpose NPN Transistor, SOT-723 3 LEAD, 8000-REEL
4,054 有效庫存

2SC5658RM3T5G

有效庫存4,054

Small Signal General Purpose NPN Transistor, SOT-723 3 LEAD, 8000-REEL

  • 製造商零件號 # : 2SC5658RM3T5G

  • 包裝/封裝: SOT-723-3

  • 零件狀態 : Active

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single Bipolar Transistors

品質保證

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詳細說明

The 2SC5658RM3T5G is a versatile high-speed switching transistor that offers exceptional performance in various electronic applications. With a collector current of up to 1.5A and a collector-base voltage of 120V, this silicon NPN epitaxial transistor is designed for general-purpose switching and amplification tasks. Its low saturation voltage of 0.35V and fast switching speed make it perfect for high-frequency operations, ensuring efficient signal processing

主要特徵

  • Precise temperature control
  • High-speed data transmission
  • Advanced noise reduction
  • Elegant design architecture
  • Robust environmental tolerance
  • Instant error detection

應用

  • Trusted in high-frequency circuits
  • Optimal for radio frequency amplifiers
  • Essential for oscillators

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Part Package Code SOT-723 3 LEAD Pin Count ! 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 4 Weeks Collector Current-Max (IC) 0.15 A
Collector-Emitter Voltage-Max 50 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 215 JESD-30 Code R-PDSO-F3
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.26 W Qualification Status ! Not Qualified
Surface Mount ! YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form ! FLAT Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 180 MHz
Manufacturer onsemi Product Category ! Bipolar Transistors - BJT
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-723-3 Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V Collector-Emitter Saturation Voltage 400 mV
Maximum DC Collector Current 150 mA Pd - Power Dissipation 260 mW
Gain Bandwidth Product fT 180 MHz Minimum Operating Temperature -
Maximum Operating Temperature ! + 150 C Series 2SC5658RM3
Brand onsemi Continuous Collector Current 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 120 DC Current Gain hFE Max 560
Height 0.55 mm Length 1.25 mm
Product Type ! BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 8000
Subcategory Transistors Technology Si
Width 0.85 mm Unit Weight 0.000045 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 2SC5658RM3T5G PDF 下載

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