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IC, EEPROM, Nor Flash, 8MX16/16MX8, Cmos, TSSOP, 56PIN, Plastic28F128J3C150
IC, EEPROM, Nor Flash, 8MX16/16MX8, Cmos, TSSOP, 56PIN, Plastic
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
認證
我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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保持貨物收到時的原始狀態。
最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。 在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。 如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]
關於包裝
在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
28F128J3C150 數據表
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詳細說明
Intel StrataFlash® Memory (J3)Capitalizing on Intel’s 0.25 and 0.18 micron, two-bit-per-cell technology, the Intel StrataFlash® Memory (J3) device provides 2X the bits in 1X the space, with new features for mainstream performance. Offered in 256-Mbit (32-Mbyte), 128-Mbit (16-Mbyte), 64-Mbit, and 32-Mbit densities, the J3 device brings reliable, two-bitper-cell storage technology to the flash market segment. Benefits include more density in less space, high-speed interface, lowest cost-per-bit NOR device, support for code and data storage, and easy migration to future devices.Product Features■ Performance —110/115/120/150 ns Initial Access Speed —125 ns Initial Access Speed (256 Mbit density only) —25 ns Asynchronous Page mode Reads —30 ns Asynchronous Page mode Reads (256Mbit density only) —32-Byte Write Buffer —6.8 µs per byte effective programming time■ Software —Program and Erase suspend support —Flash Data Integrator (FDI), Common Flash Interface (CFI) Compatible■ Security —128-bit Protection Register —64-bit Unique Device Identifier —64-bit User Programmable OTP Cells —Absolute Protection with VPEN = GND —Individual Block Locking —Block Erase/Program Lockout during Power Transitions■ Architecture —Multi-Level Cell Technology: High Density at Low Cost —High-Density Symmetrical 128-Kbyte Blocks —256 Mbit (256 Blocks) (0.18µm only) —128 Mbit (128 Blocks) —64 Mbit (64 Blocks) —32 Mbit (32 Blocks)■ Quality and Reliability —Operating Temperature: -40 °C to +85 °C —100K Minimum Erase Cycles per Block —0.18 µm ETOX™ VII Process (J3C) —0.25 µm ETOX™ VI Process (J3A)■ Packaging and Voltage —56-Lead TSOP Package —64-Ball Intel® Easy BGA Package —Lead-free packages available —48-Ball Intel® VF BGA Package (32 and 64 Mbit) (x16 only) —VCC = 2.7 V to 3.6 V —VCCQ = 2.7 V to 3.6 V
主要特徵
- Performance
- —110/115/120/150 ns Initial Access Speed
- —125 ns Initial Access Speed (256 Mbit density only)
- —25 ns Asynchronous Page mode Reads
- —30 ns Asynchronous Page mode Reads (256Mbit density only)
- —32-Byte Write Buffer
- —6.8 µs per byte effective programming time
- Software
- —Program and Erase suspend support
- —Flash Data Integrator (FDI), Common Flash Interface (CFI) Compatible
- Security
- —128-bit Protection Register
- —64-bit Unique Device Identifier
- —64-bit User Programmable OTP Cells
- —Absolute Protection with VPEN = GND
- —Individual Block Locking
- —Block Erase/Program Lockout during Power Transitions
- Architecture
- —Multi-Level Cell Technology: High Density at Low Cost
- —High-Density Symmetrical 128-Kbyte Blocks
- —256 Mbit (256 Blocks) (0.18µm only)
- —128 Mbit (128 Blocks)
- —64 Mbit (64 Blocks)
- —32 Mbit (32 Blocks)
- Quality and Reliability
- —Operating Temperature: -40 °C to +85 °C
- —100K Minimum Erase Cycles per Block
- —0.18 µm ETOX™ VII Process (J3C)
- —0.25 µm ETOX™ VI Process (J3A)
- Packaging and Voltage
- —56-Lead TSOP Package
- —64-Ball Intel® Easy BGA Package
- —Lead-free packages available
- —48-Ball Intel® VF BGA Package (32 and 64 Mbit) (x16 only)
- —VCC = 2.7 V to 3.6 V
- —VCCQ = 2.7 V to 3.6 V
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Manufacturer | INTEL | Product Category ! | Memory ICs |
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